Hallo,
was noch fehlt, ob der Ausgang DC-frei ist.
Zu den Arbeitspunkten:
Wenn ich die Schaltung richtig verstehe wird nur der AP des 1. (linken) MOSFET oben und unten geregelt - und die sind dann schon sehr unterschiedlich. Die anderen 3 kriegen dann einfach die gleiche Gate-Spg. angedreht. Wahrscheinlich sind die FETs dazu gar nicht selektiert.
Aber auch der MOSFET Q9 mit dem höchsten Strom (44 mV/0,47 Ohm = 94 mA) hat bei 65 V eine Ruhe-Verlustleistung von (nur) gut 6 W.
"Heiße" Widerstände: Das ist oft sehr subjektiv ("rauchende Fingerkuppe"), eine Thermometermessung wäre objektiver.
heiß_2: Pd = (TP10 - TP12)² / (R63 + R21) = (70-16)²/440 = 6,6 W, also 3,3 W pro Widerstand, da wird ein 10 W-R schon ganz schön heiß.
Genauer gehts mit einem Datenblatt (eines gleicher Bauform reicht). Da findet man Angaben, aus denen man die Oberflächentemperatur berechnen/abschgätzen kann.
heiß_1: da braucht man die Relaisdaten zum Rechnen.
Wie schon von anderen empfohlen: Die Spannungen rund um die Z-Dioden überprüfen.
mfg ernst