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200 Watt Ultralinear- Endstufe

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es345 (†):
Hallo Zusammen,

wie ihr wahrscheinlich schon mitbekommen habt, interessieren mich Endstufen mit hoher Leistung.
Wenn das Ganze dann mit "Non Standard Röhren" und hoher Spannung verbunden ist, dann beginnt für mich persönlich der Entwicklerspaß.

Zu diesem Zweck hab ich mir ein Entwicklungschassis für Endstufen aufgebaut. Ich werde Stück für Stück verschiedene Varianten aufbauen und davon berichten.

Noch einmal ein Warnhinweis. Dies ist NICHTS zum "mal eben nachbauen" für den Anfänger.
Die Betriebsspannung dieser Endstufen kann beim Berühren locker in die Todeszone führen.

1. Variante: KT120 im Ultralinearbetrieb in der Nähe der definierten Grenzwerte sowie der Möglichkeit, mit Steuergitterstrom zu fahren.

Der aktuelle Schaltplan ist unten angehängt.

Um bei einer Anodenspannung von 800-850 V Ultralinearbetreib zu ermöglichen, habe ich mit einen Ausgangstrafo für 240 Watt mit getrennter Schirmgitterwicklung anfertigen lassen , die einem 20% und 40% Abgriff entsprechen.
Im Betrieb zeigt sich der 40% Abgriff bei 600V Gitterspannung als der effektivste Betrieb.

Steuergitterstrom und erlaubter Steuergitterleistung

Wenn wir eine Röhre mit Steuergitterstrom betreiben, verringert sich die Restspannung der Anode bei voller Durchsteuerung weiter. Im Ergebnis ist damit eine leicht erhöhte Ausgangsleistung möglich.Zur maximal erlaubten Steuergitterleistung gibt es sehr wenig Angaben in Datenblättern. Bei der FL152, einer Pentode mit 40W möglicher Anodenverlustleistung, wird eine maximale Steuergitterverlustleistung von 1W angegeben. Das bedeutet, daß beispielsweise bei 20V Gitterspannung ein Gitterstrom von 50 mA verlustleistungstechnisch erlaubt wäre, im Gegentakt sogar 100mA pro Halbwelle. Wir wären dann schon längst bei einem Rechteckausgangssignal bei einer Sinusansteuerung. Ergebnis: Die Steuergitterverlustleistung ist nicht das begrenzende Element.

Wie erzeuge ich den Steuergitterstrom?
ich habe mich für die einfache kostengünstige Variante entschieden: MOSFET Follower, z.B. BUZ50A. Die Schaltung ist relativ einfach:
- Gate an Kondensator hinter der PI Stufe, ebenso die Gittervorspannungserzeugung, Schutz Zenerdiode zur Source.
- Source über 100K an -250V, sodaß auch bei einer Gittervorspannung von -100V und Vollaussteuerung der MOSFET im Normalbetrieb bleibt.
- Drain an 200V

Demnächst mehr

Gruß Hans- Georg

es345 (†):
Hi,

hier 2 Bilder von dem Probeaufbau:

die Abmaße 50cm*15,5cm*15,5cm, Gewicht 18,3 kg: nichts für Personen mit Rückenschäden.  ;)
Die Endröhren samt spezifischen Teilen sind auf dem tiefergelegten Blech angeordnet, das veringert die notwendige Gesamthöhe. Gleichzeitig kann eine Konvektion durch ein Gehäuse von unten nach hinten realisiert werden. Falls das nicht ausreicht ist hinten genügend Platz für Lüfter. Vom Konzept her kann ich vor diesen Endstufenblock eine Vorstufeneinheit setzen.

Zur Ansicht von unten: wie ein Probeaufbau nun einmal aussieht: "rats nest", aber brummfrei. :)
Ich hab das Teil vorhin ausprobiert. Meine Frau ist zum Telefonieren aus dem Haus gegangen, das hat aber auch nichts genützt.  ;D

Als nächstes kommt ein anderes Endstufenblech mit 4 FL152, dann gehts weiter.

Gruß Hans- Georg

bea:
Beeindruckend.

Hardcorebastler:
Hallo Hans Georg,

wenn ich bei meiner SE Endstufe KT120 (UA 450V, 110mA, 40% UL Anzapfung , Fix Bias 10 Ohm),den Gitterableitwiderstand über 47K vergrößere fängt der Ruhestrom an zu wandern,
hast du ähnliche Erfahrungen gemacht , oder liegt es hier an den zusätzlichen MOS FET Stufen?

Wie viel Watt bekommst du nun mit der UL 40% Variante ,die ich hier für die Beste halte, heraus ?

Gruß Jörg

jacob:
Hi Jörg,

was meinst Du denn eigentlich mit "fix bias 10 Ohm"?

Laut Tung-Sol KT120 Datenblatt darf der Gitterableitwiderstand bei fixed bias max. 51K betragen:

http://www.jogis-roehrenbude.de/Roehren-Geschichtliches/Roe-Neuvorstellungen/BTB/KT120/KT120TungSol.pdf

Gruß

Jacob

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