Technik > Tech-Talk Design & Konzepte
Spannungsregelung mittes Transistor/FET
Manfred:
Hallo!
@SvR
Da stimme ich zu das mit der Optimierung des Temperaturkoeffizienten wäre mit Kanonen auf Spatzen geschossen.
Die Ausgangsspannung änderts sich je nach Strom auch durch die daraus resultierende Schwankung von Ugs,
welche aber auch gegenüber der hohen Z-Spannung von z.B 180V gering ausfällt. Der IRF820 hat eine Steilheit von minimal 1.5A/V.
Bei einem angenommenen Laststrom von 500mA würde Ugs laut Ausgangskennlinienfeld etwa 4.7V betragen
und eine Laständerung von 100mA etwa eine Schwankung von ca 70mV von Ugs, sprich Ua, bedeuten.
Deshalb ist für die Auswahl des MosFet wichtig dass dieser auch eine große Steilheit hat.
Wie schon oben erwähnt ist das keine Regelung, die Gate-Source Spannung wird quasi dem erforderlichen
Ausgangsstrom nachgestellt.
Gruß
Manfred
Bierschinken:
Hallo,
jetzt bin ich nochmehr verwirrt, da hier die Meinungen auseinander gehen.
--- Zitat von: Fandango am 7.03.2010 00:22 ---[...] zwischen Uein und Uz misst du 80V.
--- Ende Zitat ---
Georg, nein, Uein soll 100V betragen und Uaus 80V, d.h. ich muss einer Zener-Diode mit 80V.
So gesehen fallen über die Zenerdiode dann, zwischen Uz und Gnd, 80V ab.
--- Zitat von: Fandango ---Dein Vorwiderstand sollte mind. 33K haben.
--- Ende Zitat ---
Kannst du mir erklären wie du auf den Wert kommst? - Ich verstehs nicht :-[
--- Zitat von: SvR ---Ich denke deine Rechnung passt so. Hier das ganze noch mit Transistoren:[...]
--- Ende Zitat ---
Dank dir, Sven. In dem Link wirds zumindest genau so berechnet wie ich es im Beispiel getan hab.
Mit den Temperaturkoeffizienten habe ich auch schon überlegt zu spielen, aber das ist nicht nötig, da die paar Volt mehr oder weniger keinen Unterschied machen. Da sind übliche Netzschwankungen ja deutlich extremer.
--- Zitat von: Manfred ---Wie schon oben erwähnt ist das keine Regelung, die Gate-Source Spannung wird quasi dem erforderlichen
Ausgangsstrom nachgestellt.
--- Ende Zitat ---
Ja, ist richtig. Diese Art der Spannungsstabilisierung scheint mir jedenfalls für die Versorgungsspannung von Audiogeräten ideal, wegen der äusserst geringen Brummspannung.
--- Zitat von: Manfred ---Deshalb ist für die Auswahl des MosFet wichtig dass dieser auch eine große Steilheit hat.
--- Ende Zitat ---
Dank dir. Das ergibt Sinn, So bleibt die Ausgangsspannung relativ konstant, auch bei kleineren Lastschwankungen.
Wo wir grade beim Thema FET-Auswahl sind. Worauf sollte man da noch achten?
Klar, er muss den geforderten Strom liefern können, er muss mit der hohen Spannung klarkommen (auch mit hoher Uds).
Aber was gibt es da noch für Auswahlkriterien?
Grüße,
Swen
Fandango:
Da hab ich das etwas falsch verstanden, ok, wenn 80V dann stimmt Dein Wert.
Bierschinken:
--- Zitat von: Fandango am 7.03.2010 16:50 ---Da hab ich das etwas falsch verstanden, ok, wenn 80V dann stimmt Dein Wert.
--- Ende Zitat ---
Puh, da bin ich aber beruhigt! - Ich hab mir schon mächtig den Kopf zerbrochen, wie das denn gehen soll :)
Also, bleibt die Frage nach der FET-Auswahl und dann die Frage nach "Zusätzen" um die Schaltung stabiler/sicherer zu machen.
Hier fällt mir spontan die oft angeführte Z-Diode zwischen GS ein.
Diese wäre ja in erster Linie abhängig vom FET. Sollte man da so klein wie möglich bleiben oder die maximal erlaubte Ugs ausnutzen?
Wenn Uein nicht 100% sauber ist und leicht schwankt, macht es dann Sinn die Z-Diode mit einem Kondensator zu überbrücken um Uz möglichst konstant zu halten?
Grüße,
Swen
Manfred:
Hallo Sven,
da geht eigentlich jeder N-Kanal Power Mosfet der die entsprechende Spannungsfestigkeit hat.
Der Stromwert der Steilheit sollte deutlich höher liegen als der Ausgangsstrom um die Ausgangsspannungsänderung gering zu halten.
Dann kommt es noch auf die Eingangsspannung der Stabilisierung an um die Verlustleistung des Mosfets zu bestimmen,
um zusehen ob ein Küklkörper von nöten ist.
Um welchen Ausgangsstrom geht es eigentlich?
Gruß
Manfred
Navigation
[0] Themen-Index
[#] Nächste Seite
[*] Vorherige Sete
Zur normalen Ansicht wechseln