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"SAG" - zum x-ten Mal

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12stringbassman:
@Casim,

das hat nix mit dem Typ des MOS-FET zu tun. Das macht die Induktivität des Ausgangs-Trafos.

Warum schließt Du nicht einfach die Steuergitter gegen Masse kurz?

Fody:
Hallo Matthias,

Danke für deine Hilfe!
Das ist mir schon klar, dass der Trafo Gegenspannung liefert, wenn ich ihm den Strom schlagartig abwürg. Aber die Endröhren regulieren ja auch den Strom durch den Übertrager, ohne dass es ein Feuerwerk gibt. Und bei einem, sagen wir mal, 5kHz-Ton hat man ja auch schon anständige Strom-Anstieg und Abfallzeiten. Mein Problem mit dem IRF ist, dass ich es nicht hinbekomm, den Transistor langsam auf oder zu zumachen. Sobald ich über, ich glaube, 2V am Gate komm schaltet er sofort in die Sättigung. Vielleicht bin ich ja auch einfach zu doof. Hab ja gesagt, dass ich null Plan davon hab.

Wenn ich die Gitter gleichspannungsmässig auf Masse zieh, werden mir die Anoden glühen. Deswegen schlug ich die -100V vor. Leg ich die Gitter nur wechselspannungsmässig auf Masse, wird es zwar das Signal muten, aber man wird trotzdem Geräusche hören wenn ich an der Betriebsspannung oder an der Gittervorspannung rumschalte.

Mir ist gerade eingefallen...Die Engl-Verstärker haben ein Relais in der Kathodenleitung als Standbyswitch. Diese Art von Standby wird öfters als beste Möglichkeit gelobt. Hier passiert doch eigentlich das gleiche mit der Anodenspannung, oder? Haben die deshalb vielleicht die Spannungsbegrenzungsdioden an den Anoden verbaut?!

Gruss Casim

earnst:
Hallo,

um den MOSFET "langsamer" zu machen, kann man einen relativ großen Widerstand in Serie zum Gate schalten.
Zusammen mit der Eingangskapazität Ciss - die beim IRF840 herstellerabhängig - 0,8...1,2 nF beträgt - bildet man damit einen TP, oder hier besser einen Integrator - der Vgs langsam ansteigen läßt.
Zusätzlich sollte man sich im Datenblatt das Diagramm "Transfer Characteristic" anschauen. Dort erkennt man, wie sich Id (und damit Rds) mit Vgs ändert, erkennt also auch in welchem Vgs-Bereich ein halbwegs lineares Aufsteuern möglich ist. Auch da unterscheiden sich die gleichen MOSFET-Typen je nach Hersteller (Habe mir vom IRF840 nur mal Daten von Fairchild und STM angeschaut).
Zum Ausschalten per Schalter darf das Gate aber nicht in der Luft hängen, es muß über einen entspr. gewählten Serienwiderstand nach Masse (bzw. Source-Potential) entladen werden und sicher auf 0-Potential gehalten werden.

mfg ernst

Fody:
Hallo Ernst,

Danke für die Infos!
Werd gleich mal einen Blick in die Datenblätter werfen und das ausprobieren.

Gruss Casim

Fody:
Hallo,

Der entscheidende Bereich um weich zu schalten ist wirklich viel kleiner als erwartet.
Hab jetzt nochmal etwas rumgespielt.

Erstes Bild: Plot oben ist die Gate-Spannung. Als erstes einfach nur eine Rechteckspannung zwischen 2 und 6V. Auf dem Plot unten sieht man die Anodenspannung. So wie Matthias schon berichtet hat funkts hier ordentlich. Je nach Phasenlage des Signal sind die Ausschläge unterschiedlich katastrophal.

Zweites Bild: Hier hab ich das Gate mit einer Rampe angesteuert. Im unteren Plot sieht man gleich, dass die Anodenspannung viel gesünder aussieht.

Das könnte doch die Lösung sein, oder?
Werd mal versuchen ein ähnliches Verhalten über den Gatewiderstand zu erreichen.

Gruss Casim

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